SI7634BDP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在導通狀態(tài)下漏源電阻僅為4.7毫歐，柵源驅(qū)動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于降低功耗與溫升，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及高頻開關(guān)等應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)支持快速開關(guān)特性，配合合適的驅(qū)動電路可有效提升系統(tǒng)整體響應(yīng)速度與能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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