IMBG65R026M2H_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和73A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至26mΩ，顯著降低導(dǎo)通損耗。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V，支持寬裕的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)裕量。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍保持優(yōu)異的效率與熱穩(wěn)定性，適用于高功率密度電源、服務(wù)器電源、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及各類高效電力電子設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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