C3M0025065K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。其結構利用碳化硅材料的高熱導率與高臨界電場特性，在高頻、高功率密度的電力轉換系統中可實現低開關損耗與高效率運行，適用于對動態響應和能效要求嚴苛的電源管理、儲能變換及高頻逆變等應用場景。
