IPW65R022CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導通電阻僅為20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與優異熱導率，該器件在高頻開關條件下仍能維持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高功率密度的電源轉換系統，尤其適合對體積、溫升及能效有嚴格要求的應用場合。
