IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續漏極電流（ID）達108A，導通電阻（RDS(ON)）低至20mΩ，柵源電壓范圍（VGS）為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高電壓和大電流條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率、高頻率的電源轉換系統、服務器電源、可再生能源發電設備以及對熱管理要求嚴苛的功率電子應用。
