IMBG65R026M2HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:73A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、73A的連續(xù)漏極電流（ID）和26mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。其低導(dǎo)通電阻與高耐壓特性結(jié)合碳化硅材料的高頻優(yōu)勢(shì)，可在高效率電源轉(zhuǎn)換、數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)、光伏逆變器及高密度電力電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能與熱管理表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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