SICW025N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗和優異的開關性能，在高頻率運行條件下仍能保持較低的溫升。適用于對效率、體積和熱管理有較高要求的電源轉換系統，如高頻開關電源、可再生能源逆變器及高效電能變換設備等場景。
