IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和26mΩ的導通電阻，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關應用中展現出低損耗與高效率優勢，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源系統。其寬柵壓范圍提升了驅動電路的適應性，低導通電阻有助于降低傳導損耗，從而支持更緊湊、高效的電力轉換架構。
