IV2Q06025T4Z_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應(yīng)管為N溝道結(jié)構(gòu)，最大漏極電流ID達99A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至26mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料的特性，在高頻、高壓工作條件下展現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)性能與導通效率，適用于對能效和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換場景，可有效降低系統(tǒng)損耗并提升整體運行穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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