IMZA65R027M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻低至26mΩ，在柵源驅(qū)動電壓范圍-10V至@5V內(nèi)穩(wěn)定工作。憑借碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其電氣參數(shù)組合使其在高電壓、大電流應(yīng)用場景中具備良好的動態(tài)響應(yīng)與熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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