SICW020N065H-BP-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有108A的漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為20mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開(kāi)關(guān)條件下保持較低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高功率密度電力電子設(shè)備。其寬柵壓范圍增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)電路的適應(yīng)性，同時(shí)低導(dǎo)通電阻有助于減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體能效與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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