IMT65R026M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻低至26mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換場景。其柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保在多種驅(qū)動條件下穩(wěn)定工作。器件憑借碳化硅材料的優(yōu)異特性，在高頻、高溫環(huán)境下仍能保持較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，適合對能效和熱管理要求較高的電力電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
