SIHH100N65E-T1-GE3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:37A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高頻開關操作中展現出較低的導通損耗和優異的熱性能。適用于高效率電源、可再生能源轉換系統以及對功率密度和散熱性能有較高要求的電力電子應用。
