G3F45MT06L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備63A的漏極電流能力與650V的漏源耐壓，導通電阻為58mΩ，可在柵源電壓-10V至@5V范圍內正常工作。其結構利用碳化硅材料優勢，在高頻開關條件下保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源系統、可再生能源轉換裝置及各類緊湊型電力電子設備。低RDS(on)有助于減少發熱，提升長時間運行的穩定性，寬VGS范圍則增強了與不同驅動電路的適配能力。
