IMW65R020M2HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:108A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:20mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID達108A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至20mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料的優異特性，在高頻、高效率電力轉換場景中表現出色，適用于對開關速度與能效要求較高的電源系統，可有效降低導通與開關損耗，提升整體運行效率與熱管理性能。
