TW083Z65C,S1F_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性。適用于高效率電源轉換、可再生能源系統中的功率變換環節以及對散熱和空間布局敏感的電力電子裝置，能夠支持緊湊型高功率密度設計。
