IPZ65R045C7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為45mΩ，在柵源驅動電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫性能與開關特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關能力有助于提升系統整體能效，同時減少散熱設計負擔，適合用于高頻、高效率的電力電子拓撲結構中。
