UF3SC065040D8S-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:68A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:45mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，額定漏極電流ID為68A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)低至45mΩ，柵源電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高電壓與大電流條件下仍能保持較低的導通損耗和優異的開關性能，適用于對功率密度和效率有較高要求的電源轉換及高頻開關應用。寬柵壓范圍提升了驅動電路的適配靈活性。
