STWA65N023M9-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備108A的連續(xù)漏極電流（ID）與650V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為20mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，在高頻開關(guān)條件下展現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能，有效降低功率損耗。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高密度電力電子設(shè)備等場景，能夠在較高結(jié)溫下穩(wěn)定工作，提升整體系統(tǒng)可靠性與能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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