IPP65R045C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:105A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備105A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和開關性能，在高頻、高效率電力轉換系統中表現突出。其低導通損耗和快速開關特性適用于對能效和體積有較高要求的電源管理場景，可有效提升系統整體效率與響應速度。
