TK6A65W,S5X_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.1A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為820mΩ。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持可靠的開關控制。得益于碳化硅材料的高擊穿電場強度與優異熱導率，該器件在高頻、高效率電源拓撲中表現穩定，適用于通信電源、可再生能源轉換系統及高功率密度電源模塊等應用場合。
