IPD65R600E6BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為800V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)10.2A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為550mΩ。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，支持較寬的驅(qū)動(dòng)電平，有助于提升開(kāi)關(guān)穩(wěn)定性和抗干擾能力。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開(kāi)關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高功率密度電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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