DMT10H4M5LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持120A的連續漏極電流，最大漏源電壓為100V，導通電阻僅為3.6毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效，適用于高電流、高效率要求的電源管理、電機控制及高頻開關電路等應用。其電氣特性適合在緊湊型設計中實現良好的熱性能與穩定運行。
