IPD65R660CFDBTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:10.2A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:550mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和10.2A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為550mΩ。其柵源電壓范圍為-8V至@0V，適用于高效率、高頻率的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。碳化硅材料特性使其在高溫和高壓條件下仍能保持穩(wěn)定性能，適合用于對(duì)可靠性與能效要求較高的電力電子系統(tǒng)中，如電源適配器、光伏逆變器及高頻開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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