IPD40N03S4L08ATMA1-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至7毫歐。其低RDS(ON)特性有助于減小導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，在高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。適用于對(duì)功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類(lèi)高效能電子設(shè)備中，能夠穩(wěn)定可靠地實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)操作與能量轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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