TSM060N03ECP_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為5毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗，提升系統效率。其電氣特性適合用于高頻率開關場景，如電源管理模塊、電池供電設備以及需要高效能功率轉換的電子系統中，能夠有效支持穩定、可靠的運行表現。
