IPL65R650C6SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:9A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:410mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏源電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）達9A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為410mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高密度電力電子設(shè)備等場景，在提升系統(tǒng)能效與功率密度方面具有顯著優(yōu)勢。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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