VDM510N090LSA_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:75A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:7.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備75A的連續(xù)漏極電流（ID）、100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為7.3毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高頻率開關(guān)電源、電機(jī)控制及大電流負(fù)載管理等場合。器件在兼顧開關(guān)速度與熱穩(wěn)定性的同時，可在嚴(yán)苛電氣環(huán)境下保持可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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