SUD42N03-3M9P-GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3毫歐。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在大電流工作條件下仍能保持良好的熱性能。適用于高效率電源轉換、電池供電系統以及對功率密度和散熱有嚴苛要求的電子設備中的開關應用，能夠在高頻操作中維持穩定可靠的性能表現。
