SI7860DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有50A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為6.5毫歐，柵源驅(qū)動電壓最高可達(dá)20V。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率，適用于高頻率開關(guān)和大電流傳輸?shù)膱龊稀Ｆ骷陔娫崔D(zhuǎn)換、電機(jī)控制及各類直流開關(guān)電路中可提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，適合對能效與熱管理有較高要求的應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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