BSC028N06NSATMA1_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:125A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有125A的連續(xù)漏極電流（ID）、60V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及2.4毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其極低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)效率。高電流承載能力使其適用于大功率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及高密度電力電子裝置，在需要高效能與緊湊布局的場(chǎng)合中表現(xiàn)突出。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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