TK3A65D(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:3.9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:1555mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、3.9A的連續漏極電流（ID）和1555mΩ的導通電阻（RDS(on)），柵源電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、小型化適配器以及對熱管理要求較高的電力電子系統。
