STL66N3LLH5-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為4.3毫歐，柵源驅(qū)動電壓（VGS）額定值為20V。其超低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下仍能維持良好的熱性能。適用于對效率和功率密度要求較高的開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換模塊以及便攜式高功率電子設(shè)備中的同步整流與負載開關(guān)等場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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