R6504KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:900V 參數3：RDON:712mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為900V，連續漏極電流（ID）為11A，導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有優異的高頻開關特性和較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換系統，如高頻開關電源、光伏逆變器及高密度電力電子裝置等應用場合。
