MSJU11N65A-TP_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源耐壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了可靠的開關控制與驅動兼容性。采用寬禁帶半導體材料碳化硅，具備優異的高溫工作性能與開關特性，適用于高功率密度、高頻開關電源系統，如高效能交直流轉換模塊、可再生能源發電設備中的功率調節單元以及高要求的電力變換裝置。
