TSM060N03PQ33_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗，提升整體能效。器件適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統，如直流-直流變換器、電池供電設備及各類高頻率開關電路，能夠在緊湊布局中維持穩定可靠的性能表現。
