FDS6688S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET額定漏極電流為18A，最大漏源電壓為30V，導通電阻典型值為5毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，在高頻率開關操作中保持良好的熱穩定性。適用于對體積和效率有較高要求的電源轉換、負載開關及便攜式電子設備中的功率管理場景。
