NVMFWS1D3N04XMT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:219A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:1.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有219A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至1.2毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時可實現高效導通。其高電流承載能力與極低導通損耗特性，適用于對功率密度和效率要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關等應用場景，能夠有效提升系統整體能效與熱管理性能。
