RS1E301GNTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持150A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至1.4毫歐，柵源電壓額定值為20V。其超低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在大電流應用中保持較高的能效和較低的溫升。適用于高效率電源轉換、電池充放電控制、電動工具驅動以及對功率處理能力和熱性能有較高要求的電子系統。
