STP8NM60FP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:5.1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:820mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）為5.1A，導通電阻（RDS(on)）為820mΩ。柵源驅動電壓（VGS）范圍為-8V至@0V，確保器件在多種驅動條件下可靠開關。憑借碳化硅材料的特性，該器件在高頻工作時表現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換系統，如通信設備電源、光伏逆變器及高密度開關電源等場合。
