SPD50N03S207GBTMA1-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。低導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，提升能效表現(xiàn)，適用于對電流承載能力和熱性能要求較高的功率轉(zhuǎn)換場合。其電氣特性支持在高頻開關(guān)條件下穩(wěn)定運行，適合用于高密度電源模塊、便攜式設(shè)備供電系統(tǒng)及其它需要高效功率管理的電子裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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