TK35N65W,S1F_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為36A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻典型值為75mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅材料構建，具備優異的高溫穩定性和開關特性，在高頻電源轉換、高效率功率調節及緊湊型電力電子系統中可實現低損耗運行。其電氣參數組合適合對體積與能效有較高要求的應用場景。
