IMZA65R033M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:99A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有99A的連續漏極電流（ID），漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，導通電阻（RDS(on)）為26mΩ，柵源電壓（VGS）工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備低導通損耗與高耐壓能力，適用于高頻、高效率的電源轉換場合。其寬柵壓范圍增強了驅動兼容性，同時在高溫或高功率條件下仍能維持穩定電氣特性，適合用于對體積和能效有較高要求的電力電子系統。
