STW65N65DM2AG-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流（ID）達55A，漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，導通電阻（RDS(on)）典型值為58mΩ，柵源驅動電壓范圍（VGS）為-10V至@5V。器件憑借碳化硅材料特性，在高頻、高效率應用場景中展現出優異的開關性能與熱穩定性，適用于對功率密度和能效有較高要求的電源轉換系統。其低導通損耗與寬驅動電壓窗口有助于簡化驅動電路設計并提升整體系統可靠性。
