IMBG65R033M2HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:73A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:26mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有73A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻低至26mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的優異特性，器件在高頻、高壓工作條件下展現出更低的開關損耗與更高的效率。適用于對能效和功率密度要求較高的電源轉換、可再生能源系統及高頻率電力電子裝置，能夠在嚴苛電氣環境中保持穩定可靠的性能表現。
