IV2Q06040D7Z_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:36mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備70A的漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻低至36mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源轉換、可再生能源接入及高功率密度電能處理等場景。其低RDS(on)有助于減少發熱，提升系統整體能效，寬柵壓范圍則增強了與不同驅動電路的兼容性。
