GSJA65R041_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流ID為70A，漏源電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為44mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍VGS為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通損耗，在高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及高功率密度電源模塊中具有良好的適用性。其寬柵壓范圍有助于提升驅(qū)動(dòng)電路的兼容性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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