IPW65R045C7300XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:44mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應管為N溝道結構，最大漏極電流ID達70A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDS(ON)典型值為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件具備高耐壓與低導通損耗特性，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換場景，可在高頻開關條件下保持穩(wěn)定性能，適合用于各類電源管理、可再生能源系統(tǒng)及高效能電能變換裝置中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
