UF3C065080K3S-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與良好的熱穩(wěn)定性，適用于對(duì)效率和功率密度要求較高的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。其電氣參數(shù)組合使其能夠在高電壓、大電流條件下維持可靠運(yùn)行，同時(shí)支持較寬的驅(qū)動(dòng)電壓窗口，便于與多種控制電路兼容。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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