FCH041N65F-F155-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為70A，漏源擊穿電壓達650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，在高頻工作條件下展現出較低的開關與導通損耗，同時具備良好的熱穩定性。其電氣參數適用于高效率電源轉換、可再生能源系統及高功率密度的電力電子應用，寬柵壓范圍也有助于提升驅動兼容性與電路可靠性。
